Suppression of Dynamic Resistance Degradation in 1200-V GaN-on-Sapphire E-Mode GaN HEMTs by Drain-Side Thin p-GaN Design

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2025, p.1-4
Hauptverfasser:	Wang, Wenfeng, Zhou, Feng, Qian, Junfan, Zou, Can, Xu, Weizong, Ren, Fangfang, Zhou, Dong, Chen, Dunjun, Xia, Yuanyang, Wu, Leke, Li, Yiheng, Zhu, Tinggang, Zheng, Youdou, Zhang, Rong, Lu, Hai
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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