Normally-Off High-Performance Diamond FET With Large V TH and Low Leakage Current

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2025-01, Vol.72 (1), p.12-16
Hauptverfasser: Liang, Yuesong, Wang, Wei, Niu, Tianlin, Chen, Genqiang, Wang, Fei, Du, Yuxiang, Zhang, Minghui, Wang, Yanfeng, Wen, Feng, Wang, Hong-Xing
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2024.3496447