$Improvement of Memory Window of Silicon Channel Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$ FeFET by Inserting Al$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$/HfO$_{\text{2}}$/Al$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ Top Interlayer$

Improvement of Memory Window of Silicon Channel Hf$_{\text{0.5}}$Zr$_{\text{0.5}}$O$_{\text{2}}$ FeFET by Inserting Al$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$/HfO$_{\text{2}}$/Al$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ Top Interlayer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024, p.1-6
Hauptverfasser:	Han, Runhao, Hu, Tao, Yang, Jia, Bai, Mingkai, Ding, Yajing, Shao, Xianzhou, Dai, Saifei, Sun, Xiaoqing, Chai, Junshuai, Xu, Hao, Han, Kai, Wang, Xiaolei, Wang, Wenwu, Ye, Tianchun
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0018-9383 1557-9646
DOI:	10.1109/TED.2024.3489595