Insights Into the Behavior of Leakage Current and Switching Instability in Lateral $\beta $-Ga$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2024, p.1-5
Hauptverfasser: Chen, Zequan, Smith, Matthew, Higashiwaki, Masataka, Kuball, Martin
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2024.3485028