Amorphous IGZO MIS Phototransistor With HfO 2 Gate Dielectrics for High Sensitivity Solar-Blind Ultraviolet Detection

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024-11, Vol.71 (11), p.6743-6748
Hauptverfasser:	Yao, Jichun, Liu, Shining, Liu, Xingzhao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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