Improved Parasitic Capacitance-Predictively Aware DTCO: Enhanced Cell Efficiency With Manufacturability and Scalability for 4F 2 VCT-Based DRAM

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024-07, Vol.71 (7), p.4132-4137
Hauptverfasser:	Liang, Honggang, Yu, Yong, Li, Zhixuan, Li, Yuke, Shao, Feng, Zhu, Jingfei, Lu, Yanan, Liang, Jing, Ba, Lansong, Yang, Nan, Li, Yongjie, Peng, Xu, Lu, Yongchun, Kang, Bryan, Wang, Guilei, Zhao, Chao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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