Resistance Switching and Carrier Transport Mechanisms of HfO 2 -Based Ferroelectric Diode

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2024-06, Vol.71 (6), p.3959-3963
Hauptverfasser: Ma, Minglei, Lin, Gaobo, Shen, Rongzong, Xu, Jiacheng, Qian, Haoji, Gu, Jiani, Liu, Huan, Zhang, Hongrui, Yu, Xiao, Liu, Yan, Chen, Jiajia, Jin, Chengji, Han, Genquan
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2024.3390097