Enhance the Electrical and Photoelectrical Performance of MoS 2 Transistor With Polyimide Gate Dielectric by Microwave Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024-04, Vol.71 (4), p.2736-2741
Hauptverfasser:	Zhang, Yifei, Su, Xing, Cui, Siwei, Yang, Hui, Wu, Dongping
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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