Effects of the LPCVD Gate Dielectric Deposition Temperature on GaN MOSFET Channels and the Root Causes at the SiO 2 -GaN-Interface

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024-03, Vol.71 (3), p.1553-1560
Hauptverfasser:	Henn, Mirjam, Huber, Christian, Scholten, Dick, Kaminski, Nando
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!