Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors With 10 11 ON/ OFF Ratio Using an Al 2 O 3 /HfO 2 Stacked Passivation Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2024-01, Vol.71 (1), p.940-943
Hauptverfasser:	Chen, Zhihao, Yu, Xinxin, Mao, Shuman, Zhou, Jianjun, Kong, Yuechan, Chen, Tangsheng, Xu, Ruimin, Yan, Bo, Xu, Yuehang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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