Balanced Performance Improvement and Low-Frequency Noise of TMA-Passivated GaSb MOS Capacitors Using Bilayered HfO 2 /Al 2 O 3 Gate Dielectrics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2023-10, Vol.70 (10), p.5044-5050
Hauptverfasser:	Jiang, Shanshan, He, Gang, Lu, Jinyu, Qiao, Lesheng
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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