Annealing Ambient and Film Thickness Dependent NO 2 Response and 1/ f Noise Characteristics of IGZO Resistor-Type Gas Sensors

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2023-10, Vol.70 (10), p.5475-5478
Hauptverfasser:	Shin, Wonjun, Koo, Ryun-Han, Hong, Seongbin, Jeong, Yujeong, Jung, Gyuweon, Lee, Sung-Tae, Lee, Jong-Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!