Improved Performance of MoS 2 Negative-Capacitance Transistors by Using Hf 1- x Al x O y as Gate Dielectric Plus NH 3 -Plasma Treatment

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2023-09, Vol.70 (9), p.4892-4898
Hauptverfasser:	Xia, Yuqin, Liu, Lu, Chen, Shangde, Xu, Jing-Ping
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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