Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In 2 O 3 -Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2023-01, Vol.70 (1), p.105-112
Hauptverfasser:	Wu, Xiaoyu, He, Gang, Wang, Wenhao, Wang, Leini, Xu, Xiaofen, Gao, Qian, Liu, Yanmei, Jiang, Shanshan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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