Impact of Oxygen Vacancy on Ferroelectric Characteristics and Its Implication for Wake-Up and Fatigue of HfO 2 -Based Thin Films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2022-09, Vol.69 (9), p.5297-5301
Hauptverfasser:	Chen, Jiajia, Jin, Chengji, Yu, Xiao, Jia, Xiaole, Peng, Yue, Liu, Yan, Chen, Bing, Cheng, Ran, Han, Genquan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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