A Method to Isolate Intrinsic HCD and NBTI Contributions Under Self Heating During Varying V G /V D Stress in GAA Nanosheet PFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2022-07, Vol.69 (7), p.3535-3541
Hauptverfasser:	Choudhury, Nilotpal, Mahapatra, Souvik
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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