Effects of Ni Doping Composition on the Physical and Electrical Properties of Cu 1- x Ni x O Thin-Film Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2022-03, Vol.69 (3), p.1092-1098
Hauptverfasser: Liu, Jingchi, Gao, Caifang, Yang, Jiayan, He, Huan, Ou-Yang, Wei, Zhang, Dongxu, Li, Wenwu
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2022.3145328