GaN High-Electron-Mobility-Transistor on Free- Standing GaN Substrate With Low Contact Resistance and State-of-the-Art f T × L G Value

GaN High-Electron-Mobility-Transistor on Free- Standing GaN Substrate With Low Contact Resistance and State-of-the-Art f T × L G Value

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2022-03, Vol.69 (3), p.968-972
Hauptverfasser: Du, Hanghai, Zhang, Jincheng, Zhou, Hong, Liu, Zhihong, Zhang, Tao, Dang, Kui, Zhang, Yanni, Zhang, Weihang, Zhang, Yachao, Hao, Yue
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2021.3138954