Novel TCAD Approach for the Investigation of Charge Transport in Thick Amorphous SiO 2 Insulators

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2021-11, Vol.68 (11), p.5438-5447
Hauptverfasser:	Giuliano, Federico, Reggiani, Susanna, Gnani, Elena, Gnudi, Antonio, Rossetti, Mattia, Depetro, Riccardo, Croce, Giuseppe
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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