$Al 0.7 Ga 0.3 N MESFET With All-Refractory Metal Process for High Temperature Operation$

Al 0.7 Ga 0.3 N MESFET With All-Refractory Metal Process for High Temperature Operation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2021-09, Vol.68 (9), p.4278-4282
Hauptverfasser:	Potts, Alexander M., Bajaj, Sanyam, Daughton, David R., Allerman, Andrew A., Armstrong, Andrew M., Razzak, Towhidur, Sohel, Shahadat H., Rajan, Siddharth
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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