Improvement of β-Ga 2 O 3 MIS-SBD Interface Using Al-Reacted Interfacial Layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2021-07, Vol.68 (7), p.3314-3319
Hauptverfasser:	He, Minghao, Cheng, Wei-Chih, Zeng, Fanming, Qiao, Zepeng, Chien, Yu-Chieh, Jiang, Yang, Li, Wenmao, Jiang, Lingli, Wang, Qing, Ang, Kah-Wee, Yu, Hongyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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