Improvement in Long-Term and High-Temperature Retention Stability of Ferroelectric Field-Effect Memory Transistors With Metal–Ferroelectric–Metal–Insulator–Semiconductor Gate-Stacks Using Al-Doped HfO 2 Thin Films

Improvement in Long-Term and High-Temperature Retention Stability of Ferroelectric Field-Effect Memory Transistors With Metal–Ferroelectric–Metal–Insulator–Semiconductor Gate-Stacks Using Al-Doped HfO 2 Thin Films

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2020-02, Vol.67 (2), p.499-504
Hauptverfasser: Yoon, So-Jung, Min, Dae-Hong, Moon, Seung-Eon, Park, Kun Sik, Won, Jong Il, Yoon, Sung-Min
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2019.2961117