Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS 2 Channel Directly Grown on SiO$_{{x}}$ /Si Substrates Using Area-Selective CVD Technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2019-12, Vol.66 (12), p.5381-5386
Hauptverfasser:	Chung, Yun-Yan, Shieh, Jia-Min, Su, Sheng-Kai, Chiang, Hung-Li, Chen, Tzu-Chiang, Li, Lain-Jong, Wong, H.-S. Philip, Jian, Wen-Bin, Chien, Chao-Hsin, Lu, Kuan-Cheng, Cheng, Chao-Ching, Li, Ming-Yang, Lin, Chao-Ting, Li, Chi-Feng, Chen, Jyun-Hong, Lai, Tung-Yen, Li, Kai-Shin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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