Impact of Ground Plane Doping and Bottom-Gate Biasing on Electrical Properties in In 0.53 Ga 0.47 As-OI MOSFETs and Donor Wafer Reusability Toward Monolithic 3-D Integration With In 0.53 Ga 0.47 As Channel

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2018-05, Vol.65 (5), p.1862-1868
Hauptverfasser:	Kim, Seong Kwang, Shim, Jae-Phil, Geum, Dae-Myeong, Kim, Jaewon, Kim, Chang Zoo, Kim, Han-Sung, Song, Jin Dong, Choi, Sung-Jin, Kim, Dae Hwan, Choi, Won Jun, Kim, Hyung-Jun, Kim, Dong Myong, Kim, Sanghyeon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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