Comprehensive Capacitance–Voltage Simulation and Extraction Tool Including Quantum Effects for High-k on Si x Ge 1− x and In x Ga 1− x As: Part I—Model Description and Validation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2017-09, Vol.64 (9), p.3786-3793
Hauptverfasser:	Anwar, Sarkar R. M., Vandenberghe, William G., Bersuker, Gennadi, Veksler, Dmitry, Verzellesi, Giovanni, Morassi, Luca, Galatage, Rohit V., Jha, Sumit, Buie, Creighton, Barton, Adam T., Vogel, Eric M., Hinkle, Christopher L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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