Improved Performance of Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistor Using Al Doped HfO 2 Gate Dielectric

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2014-07, Vol.61 (7), p.2398-2403
Hauptverfasser:	Tang, Wing Man, Aboudi, Uraib, Provine, J., Howe, Roger T., Wong, Hon-Sum Philip
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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