Sub-400 °C Si 2 H 6 Passivation, HfO 2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In 0.7 Ga 0.3 As and Ge 1-x Sn x CMOS

Sub-400 °C Si 2 H 6 Passivation, HfO 2 Gate Dielectric, and Single TaN Metal Gate: A Common Gate Stack Technology for In 0.7 Ga 0.3 As and Ge 1-x Sn x CMOS

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2013-05, Vol.60 (5), p.1640-1648
Hauptverfasser: Gong, Xiao, Han, Genquan, Liu, Bin, Wang, Lanxiang, Wang, Wei, Yang, Yue, Kong, Eugene Yu-Jin, Su, Shaojian, Xue, Chunlai, Cheng, Buwen, Yeo, Yee-Chia
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/TED.2013.2255057