$Novel Negative $Vt$ Shift Phenomenon of Program-Inhibit Cell in $\hbox{2}X{-}\hbox{3}X\hbox{-}\hbox{nm}$ Self-Aligned STI nand Flash Memory$

Novel Negative $Vt$ Shift Phenomenon of Program-Inhibit Cell in $\hbox{2}X{-}\hbox{3}X\hbox{-}\hbox{nm}$ Self-Aligned STI nand Flash Memory

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2012-11, Vol.59 (11), p.2950-2955
Hauptverfasser:	Aritome, Seiichi, Seo, Soonok, Kim, Hyung-Seok, Park, Sung-Kye, Lee, Seok-Kiu, Hong, Sungjoo
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; jpn
Online-Zugang:	Volltext
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