A 243-GHz $F_t$ and 208-GHz $F_max$ , 90-nm SOI CMOS SoC Technology With Low-Power mmWave Digital and RF Circuit Capability

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2005-07, Vol.52 (7), p.1370-1375
Hauptverfasser: Plouchart, J.-O., Zamdmer, N., J. Kim, Trzcinski, R., Narasimha, S., Khare, M., Wagner, L.F., Sweeney, S.L., Chaloux, S.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
DOI:10.1109/TED.2005.850638