Correlated Effects on Forming and Retention of Al Doping in HfO 2 -Based RRAM

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE design and test 2017-06, Vol.34 (3), p.23-30
Hauptverfasser:	Alayan, Mouhamad, Vianello, Elisa, de Salvo, Barbara, Perniola, Luca, Padovani, Andrea, Larcher, Luca
Format:	Magazinearticle
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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