$Lattice-Matched GaN–InAlN Waveguides at $\lambda=1.55\ \mu$m Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy$

Lattice-Matched GaN–InAlN Waveguides at $\lambda=1.55\ \mu$m Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE photonics technology letters 2008-01, Vol.20 (2), p.102-104
Hauptverfasser:	Lupu, A., Julien, F. H., Golka, S., Pozzovivo, G., Strasser, G., Baumann, E., Giorgetta, F., Hofstetter, D., Nicolay, S., Mosca, M., Feltin, E., Carlin, J.-F., Grandjean, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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