Vertical-cavity surface-emitting lasers with monolithically integrated horizontal waveguides

We present the development of novel 980-nm Ga/sub 0.8/In/sub 0.2/As-GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with an internal waveguide structure. The monolithic integration of a horizontal waveguide in the top distributed Bragg reflector (DBR) creates the potential for achieving VCSEL-...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE photonics technology letters 2005-01, Vol.17 (1), p.10-12
Hauptverfasser: Lin, H.C., Louderback, D.A., Pickrell, G.W., Fish, M.A., Hindi, J.J., Simpson, M.C., Guilfoyle, P.S.
Format: Artikel
Sprache:eng
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