Vertical-cavity surface-emitting lasers with monolithically integrated horizontal waveguides
We present the development of novel 980-nm Ga/sub 0.8/In/sub 0.2/As-GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with an internal waveguide structure. The monolithic integration of a horizontal waveguide in the top distributed Bragg reflector (DBR) creates the potential for achieving VCSEL-...
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Veröffentlicht in: | IEEE photonics technology letters 2005-01, Vol.17 (1), p.10-12 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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