Excellent Endurance (> 10 13 ) of Charge Trap Memory Based on H x WO 3 Charge Trap Layer With Shallow Trap Level Using Hydrogen Spillover

Excellent Endurance (> 10 13 ) of Charge Trap Memory Based on H x WO 3 Charge Trap Layer With Shallow Trap Level Using Hydrogen Spillover

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2024-10, Vol.45 (10), p.1804-1807
Hauptverfasser: Han, Geonhui, Kim, Jaeseon, Kim, Youngdong, Seo, Jongseon, Lee, Donghwa, Hwang, Hyunsang
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/LED.2024.3443087