3D-Stacked 2T0C-DRAM Cells Using Al 2 O 3 /TiO 2 -Based 2DEG FETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2024-07, Vol.45 (7), p.1173-1176
Hauptverfasser: Zhu, Xinyi, He, Yongjie, Wang, Zhiqiang, Guo, Hongxuan, Zhu, Hao
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/LED.2024.3405956