Achieving High Field-Effect Mobility Exceeding 90 cm 2 /Vs in a -IGZTO Transistors With Excellent Reliability

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2023-11, Vol.44 (11), p.1857-1860
Hauptverfasser:	Park, Bang Ju, Chung, Sang Won, Kim, Min Jae, Lee, Heung Jo, Bae, Jae Hoon, Kang, Sung Chun, Jeong, Jae Kyeong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!