High-Performance Floating Gate Heterostructure With WSe 2 -MoS 2 Diode Channel for Neural Synapse

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2023-07, Vol.44 (7), p.1084-1087
Hauptverfasser:	Su, Zijia, Cheng, Hengxiao, Sun, Xiyu, Sun, Haiding, Zuo, Chengjie
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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