Long Stress (190 h) Operation of NO 2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2023-06, Vol.44 (6), p.975-978
Hauptverfasser:	Saha, Niloy Chandra, Shiratsuchi, Tomoki, Kim, Seong-Woo, Koyama, Koji, Oishi, Toshiyuki, Kasu, Makoto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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