Precrystallization Engineering of Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Film in Back-End-of-Line Compatible Ferroelectric Device for Enhanced Remnant Polarization and Endurance

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2023-03, Vol.44 (3), p.396-399
Hauptverfasser:	Wang, Yuan, Yang, Yang, Jiang, Pengfei, Lv, Shuxian, Wang, Boping, Chen, Yuting, Ding, Yaxin, Gong, Tiancheng, Luo, Qing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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