Aggressive Equivalent Oxide Thickness of ~0.7 nm on Si 0.8 Ge 0.2 Through HfO 2 Dielectric Direct Deposition

Aggressive Equivalent Oxide Thickness of ~0.7 nm on Si 0.8 Ge 0.2 Through HfO 2 Dielectric Direct Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 2022-10, Vol.43 (10), p.1605-1608
Hauptverfasser: Lee, Meng-Chien, Zhao, Yi-Yang, Chen, Wei-Lun, Wang, Shin-Yuan, Chen, Yi-Xuan, Luo, Guang-Li, Chien, Chao-Hsin
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/LED.2022.3203016