Improvement of Ferroelectricity and Reliability in Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Thin Films With Two-Step Oxygen Vacancy Engineering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2022-07, Vol.43 (7), p.1057-1060
Hauptverfasser:	Su, Mingji, Gao, Shifan, Weng, Zeping, Zhao, Liang, Lee, Choonghyun, Zhao, Yi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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