Demonstration of the p-NiO x /n-Ga 2 O 3 Heterojunction Gate FETs and Diodes With BV 2 /R on,sp Figures of Merit of 0.39 GW/cm 2 and 1.38 GW/cm 2

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2021-04, Vol.42 (4), p.485-488
Hauptverfasser:	Wang, Chenlu, Gong, Hehe, Lei, Weina, Cai, Yuncong, Hu, Zhuangzhuang, Xu, Shengrui, Liu, Zhihong, Feng, Qian, Zhou, Hong, Ye, Jiandong, Zhang, Jincheng, Zhang, Rong, Hao, Yue
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!