Demonstration of n-Ga 2 O 3 /p-GaN Diodes by Wet-Etching Lift-Off and Transfer-Print Technique

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2021-04, Vol.42 (4), p.509-512
Hauptverfasser:	Liu, Yang, Wang, Lai, Zhang, Yuantao, Dong, Xin, Sun, Xiankai, Hao, Zhibiao, Luo, Yi, Sun, Changzheng, Han, Yanjun, Xiong, Bing, Wang, Jian, Li, Hongtao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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