Extremely Stable Dual Gate Coplanar Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor With Split Active Layer by N 2 O Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-12, Vol.41 (12), p.1782-1785
Hauptverfasser:	Rabbi, Md. Hasnat, Billah, Mohammad Masum, Siddik, Abu Bakar, Lee, Suhui, Lee, Jiseob, Jang, Jin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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