Improved Ferroelectric/Semiconductor Interface Properties in Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric FETs by Low-Temperature Annealing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-10, Vol.41 (10), p.1588-1591
Hauptverfasser:	Toprasertpong, Kasidit, Tahara, Kento, Fukui, Taichiro, Lin, Zaoyang, Watanabe, Kouhei, Takenaka, Mitsuru, Takagi, Shinichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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