Artificial Nociceptor Using 2D MoS 2 Threshold Switching Memristor

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-09, Vol.41 (9), p.1440-1443
Hauptverfasser:	Dev, Durjoy, Shawkat, Mashiyat S., Krishnaprasad, Adithi, Jung, Yeonwoong, Roy, Tania
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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