Origin of High Current and Illumination Stress Instability in Self-Aligned a-InGaZnO Thin Film Transistors With Al 2 O 3 as High-κ Gate Dielectric

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-04, Vol.41 (4), p.565-568
Hauptverfasser:	Chien, Yu-Chieh, Londono Ramirez, Horacio, Steudel, Soeren, Rolin, Cedric, Pendurthi, Ravi, Chang, Ting-Chang, Genoe, Jan, Nag, Manoj
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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