Lateral β-Ga 2 O 3 MOSFETs With High Power Figure of Merit of 277 MW/cm 2

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-04, Vol.41 (4), p.537-540
Hauptverfasser:	Lv, Yuanjie, Liu, Hongyu, Zhou, Xingye, Wang, Yuangang, Song, Xubo, Cai, Yuncong, Yan, Qinglong, Wang, Chenlu, Liang, Shixiong, Zhang, Jincheng, Feng, Zhihong, Zhou, Hong, Cai, Shujun, Hao, Yue
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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