Low Equivalent Oxide Thickness and Leakage Current of pGe MOS Device by Removing Low Oxidation State in GeO x With H 2 Plasma Treatment

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2020-04, Vol.41 (4), p.529-532
Hauptverfasser:	Ruan, Dun-Bao, Chang-Liao, Kuei-Shu, Yi, Shih-Han, Yeh, Hsin-I, Liu, Guan-Ting
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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