ZrO 2 Ferroelectric FET for Non-volatile Memory Application

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2019-09, Vol.40 (9), p.1419-1422
Hauptverfasser:	Liu, Huan, Wang, Chengxu, Han, Genquan, Li, Jing, Peng, Yue, Liu, Yan, Wang, Xingsheng, Zhong, Ni, Duan, Chungang, Wang, Xinran, Xu, Nuo, Liu, Tsu-Jae King, Hao, Yue
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!