Real-Time Polarization Switch Characterization of HfZrO 4 for Negative Capacitance Field-Effect Transistor Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2018-09, Vol.39 (9), p.1469-1472
Hauptverfasser:	Zheng, Zejie, Cheng, Ran, Qu, Yiming, Yu, Xiao, Liu, Wei, Chen, Zhuo, Chen, Bing, Sun, Qingqing, Zhang, David Wei, Zhao, Yi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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